ГЛАВНАЯ
БАЗЫ ДАННЫХ
ИНФОРМАЦИОННЫЕ
СИСТЕМЫ
  УЧЕБНЫЕ МАТЕРИАЛЫ   
ИНФОРМАЦИОННЫЕ СЕТИ
ЭЛЕКТРОНИКА
КОМПЬЮТЕР
ЗАРАБОТАЙ В СЕТИ
 
 


Яндекс цитирования

Besucherzahler dating websites
счетчик посещений





Rambler's Top100

 

 

 

 

 Три схемы включения биполярных транзисторов в одиночные усилительные каскады с двумя источниками питания Еб и Ек 

Аналогично ламповым усилительным каскадам собирают и транзисторные усилительные каскады по любой из трех схем включения, показанных на рис. 1.4.1:

Рис. 1.4.1. Три схемы включения транзисторов в усилительные каскады: а - с ОБ; б - с ОЭ; в - с ОК

 а) с общей, т. е. заземленной базой ОБ (аналогично ламповой схеме с общей сеткой);

б) с общим, т. е. заземленным эмиттером ОЭ (аналогично ламповой схеме с общим катодом);

в) с общим коллектором ОК (аналогично схеме с общим анодом).

В этих схемах, собираемых на транзисторах типа р-n-р, обозначены: Еб - источник напряжения смещения (доли вольта), включенный во входную цепь усилительного каскада, предназначенный для выбора необходимого рабочего режима в классе А или AВ, те есть для выбора положения рабочей точки на входной динамической (переходной) характеристике; Ек - источник питания постоянного тока выходной коллекторной цепи (единицы-десятки вольт).

На входе каждой схемы усилительного каскада включен эквивалентный генератор переменного напряжения как источник входного сигнала с ЭДС ег и внутренним сопротивлением Rг. Входное напряжение подается между точками а-б. Непосредственно в выходную цепь каждого усилительного каскада в качестве нагрузки включен резистор Rк = Rн.

Согласно первому закону Киргофа, во всех каскадах ток эмиттера Iэ, равен сумме токов базы Iб и коллектора Iк, то есть Iэ= Iб + Iк.

На всех схемах стрелками показано общепринятое направление токов от плюса к минусу источника питания, противоположное направлению движения электронов. Во всех схемах усилительных каскадов можно определить основные расчетные параметры для низкочастотных с малой амплитудой усилительных сигналов при Rн = Rк << rк, где rк - дифференциальное сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода транзистора, имеющего величину около сотен килом и единиц мегом.

При этом, пользуясь h-параметрами, получают расчетные формулы, одинаковые по внешнему виду, по которым рассчитываются разные по величине параметры усилительных каскадов для каждой из вышеуказанных трех схем включения транзисторов. А именно: коэффициент усиления (передачи) по току Кi h21; коэффициент усиления каскада по напряжению

коэффициент усиления по мощности Кр = Кi * Кu =

Входное сопротивление каскада, равное входному сопротивлению транзистора Rвх к-да h11; выходное сопротивление каскада

 

Rвых к-да = rк || Rк Rк, так как rк >> Rк;

или Rвых к-да || Rк Rк, где

определитель Dh11 = h11* h22 — h21 * h12.

Приведем сводную таблицу двух основных расчетных параметров низкочастотных транзисторных усилительных каскадов с двумя источниками питания Еб и Ек с использованием основных физических параметров транзисторов ( rб, rк, rэ, a , b ) при Rн = = Rк << rк.

При этом надо иметь в виду, что физические параметры транзисторов по переменному току можно определить по известным h-параметрам, например:

 

Таблица 1.4.1

Параметры усилительного каскада

Схема с ОБ

Схема с ОЭ

Схема с ОК

Кi

a 0,9 -0,995

b = 8 - 200

g = 1 + b

Кu

aRк /Rвх к-да десятки-сотни

bRк/Rвх к-да = = десятки-тысячи

Uвых/Uвх < 1Кiu Кi

Кp

КiКu Кu

КiКu (самый большой)

rб+(1+b)* (rэ + Rн)

Rвх к-да

rэ+(1—a)rб

десятки Ом

rб+(1+b)rэ (0.5¸10)кОм

(десятки - сотни) кОм

Rвых к-да

(rк + rб)[1- arб /

/(rб + rк + Rг)] || || Rк Rк или

rк || Rк Rк

rк (1- a)[1 + brэ / /(rб + rк + Rг)] || || Rк Rк или

rd || Rк Rк

 

Rвых к-да Rн

Фаза выходного напряжения

Не меняется

Меняется на 180

Не меняется

 Примечание. Если в рассмотренных схемах усилительных каскадов применить транзисторы типа n-р-n, то расчетные формулы не изменятся, поменяется только полярность питающих напряжений.

Из этой таблицы видно, что разные схемы транзисторных усилительных каскадов дают возможность получить

К < 1; K К>> 1; Rвх б < Rвх э < Rвх к;

К < К >> К < 1; (Rвых б ³ Rвых э ³ Rвых к) Rк.

На практике применяются все три схемы усилительных каскадов на транзисторах, однако наибольшее применение получили усилительные каскады на транзисторах, собранные по схеме с общим эмиттером, так как они, обеспечивая большое усиление сигнала и по напряжению и по току, дают более высокое усиление сигнала по мощности.

 
Hosted by uCoz